Merkmale
TRIM-Unterstützung, Error Correction Code (ECC), Adaptive Thermal Protection, Redundant Array of Independent NAND, Multistep Data Integrity Algorithm, RAIN-Technologie, Active Garbage Collection, dynamische Schreibbeschleunigung, Geräte-Schlafunterstützung, Stromausfall-Störfestigkeit, S.M.A.R.T.