Merkmale
TRIM-Unterstützung, Error Correction Code (ECC), Adaptive Thermal Protection, Redundant Array of Independent NAND, Multistep Data Integrity Algorithm, Active Garbage Collection, dynamische Schreibbeschleunigung, 3D NAND Technology, Geräte-Schlafunterstützung, NVM Express (NVMe), Autonomous Power State Transition (APST), Stromausfall-Störfestigkeit, S.M.A.R.T.